<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">zldm</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Заводская лаборатория. Диагностика материалов</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Industrial laboratory. Diagnostics of materials</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1028-6861</issn><issn pub-type="epub">2588-0187</issn><publisher><publisher-name>ООО «Издательство «ТЕСТ-ЗЛ»</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.26896/1028-6861-2022-88-4-27-32</article-id><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">zldm-1643</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>ФИЗИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И КОНТРОЛЯ</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>PHYSICAL METHODS OF RESEARCH AND MONITORING</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>Оценка повторяемости результатов рентгенодифракционного исследования для порошков нитрида кремния различной дисперсности</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Assessment of the data repeatability of x-ray diffraction study for silicon nitride powders of different dispersion</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Дрожилкин</surname><given-names>П. Д.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Drozhilkin</surname><given-names>P. D.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>603022, г. Нижний Новгород, проспект Гагарина, д. 23</p></bio><bio xml:lang="en"><p>603950, Nizhny Novgorod, prosp. Gagarina, 23</p></bio><email xlink:type="simple">andreev@phys.unn.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Сметанина</surname><given-names>К. Е.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Smetanina</surname><given-names>K. E.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>603022, г. Нижний Новгород, проспект Гагарина, д. 23</p></bio><bio xml:lang="en"><p>603950, Nizhny Novgorod, prosp. Gagarina, 23</p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Андреев</surname><given-names>П. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Andreev</surname><given-names>P. V.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>603022, г. Нижний Новгород, проспект Гагарина, д. 23</p></bio><bio xml:lang="en"><p>603950, Nizhny Novgorod, prosp. Gagarina, 23</p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Мурашов</surname><given-names>А. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Murashov</surname><given-names>A. A.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>603022, г. Нижний Новгород, проспект Гагарина, д. 23</p></bio><bio xml:lang="en"><p>603950, Nizhny Novgorod, prosp. Gagarina, 23</p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет имени Н. И. Лобачевского</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>N. I. Lobachevsky Nizhny Novgorod State University</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2022</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>27</day><month>04</month><year>2022</year></pub-date><volume>88</volume><issue>4</issue><fpage>27</fpage><lpage>32</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Дрожилкин П.Д., Сметанина К.Е., Андреев П.В., Мурашов А.А., 2022</copyright-statement><copyright-year>2022</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Дрожилкин П.Д., Сметанина К.Е., Андреев П.В., Мурашов А.А.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Drozhilkin P.D., Smetanina K.E., Andreev P.V., Murashov A.A.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://www.zldm.ru/jour/article/view/1643">https://www.zldm.ru/jour/article/view/1643</self-uri><abstract><p>Кристаллические материалы исследуют с применением рентгенодифракционных методов. Помимо фазового состава они позволяют оценить внутренние напряжения, параметры элементарных ячеек кристаллических фаз, а также размер областей когерентного рассеяния, который связан со средним размером частиц и влияет на ширину дифракционных пиков. В работе представлены результаты оценки повторяемости данных рентгенодифракционных экспериментов для порошков нитрида кремния Si3N4 различной дисперсности и с различными исходными соотношениями фаз α-, β-Si3N4. Определяли относительную погрешность измерения дифракционных пиков детектором интенсивности и абсолютную погрешность расчета параметров элементарных ячеек фаз методом Ритвельда. Средний размер частиц исходных порошков анализировали с применением растровой электронной микроскопии. Рентгенодифракционные исследования проводили по схеме Брэгга – Брентано с использованием излучения CuKα (λ = 1,5406 Å). С каждым порошком была проведена серия из трех экспериментов. Установлено, что относительная погрешность измерения интенсивности детектором не превышает 2 % для пиков, соответствующих критерию 3σ, а абсолютная погрешность определения параметров элементарных ячеек фаз методом Ритвельда — 0,001 Å. Полученные результаты могут быть использованы для оценки стабильности работы дифрактометра как с образцами на основе нитрида кремния, так и материалами, отличными по составу и структуре, в особенности субмикронными. При этом погрешность параметров, получаемых с помощью рентгеновского фазового анализа, можно учитывать, не прибегая к статистическим оценкам, как в методе наименьших квадратов.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>X-ray diffraction methods are indispensable for studying crystalline materials and provide determination of the phase composition, internal stresses and the parameters of unit cells of crystalline phases, as well as the crystalline size, which is related to the average grain size and affects the width of the diffraction peaks. We present the results of evaluating the repeatability of the X-ray diffraction data obtained for silicon nitride powders Si3N4 of different particle size and different initial phase ratios α-, β-Si3N4. The relative error of measuring the diffraction peaks was determined using the intensity detector and the absolute error of calculating the unit cell parameters was determined by the Rietveld method. The average particle size of the initial powders was analyzed using scanning electron microscopy. X-ray diffraction studies were performed according to the Bragg – Brentano scheme using CuKα radiation (λ = 1.5406 Å). A series of three experiments was performed for each powder. It is shown that the relative error of intensity measurements with a detector does not exceed 2% for peaks corresponding to 3σ criterion, and the absolute error of the determination of the unit cell phase parameters by the Rietveld method is 0.001 Å. The results obtained can be used to assess the stability of the diffractometer both for the samples based on silicon nitride and materials of different composition and structure, especially for submicron samples. In the latter case, the error of the parameters obtained by X-ray phase analysis can be taken into account without resorting to statistical estimates, as in the method of least squares.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>нитрид кремния</kwd><kwd>поликристалл</kwd><kwd>рентгенодифракционный анализ</kwd><kwd>фазовый анализ</kwd><kwd>погрешность</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>silicon nitride</kwd><kwd>polycrystalline</kwd><kwd>X-ray diffraction analysis</kwd><kwd>phase analysis</kwd><kwd>error</kwd></kwd-group><funding-group><funding-statement xml:lang="ru">Работа выполнена при финансовой поддержке Совета по грантам Президента РФ для молодых российских ученых (№ МК-4584.2021.1.3)</funding-statement></funding-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Каргин Ю. Ф., Лысенков А. С., Ивичева С. Н., Захаров А. И., Попова Н. А., Солнцев К. А. Микроструктура и свойства керамики из нитрида кремния с добавками алюмината кальция / Неорганические материалы. 2010. № 7. С. 892 – 896.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kargin Yu. F., Lysenkov A. S., Ivicheva S. N., Solntsev K. A., Zakharov A. I., Popova N. A. Microstructure and properties of silicon nitride ceramics with calcium aluminate additions / Inorg. Mater. 2010. N 7. P. 799 – 803. DOI:10.1134/S0020168510070204</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Rhee S.-H., Lee J. D., Kim D.-Y. Effect of α-Si3N4 initial powder size on the microstructural evolution and phase transformation during sintering of Si3N4 ceramics / J. Eur. Ceram. Soc. 2000. Vol. 20. N 1. P. 787 – 794. DOI:10.1016/S0955-2219(00)00053-4</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Rhee S.-H., Lee J. D., Kim D.-Y. Effect of α-Si3N4 initial powder size on the microstructural evolution and phase transformation during sintering of Si3N4 ceramics / J. Eur. Ceram. Soc. 2000. Vol. 20. N 1. P. 787 – 794. DOI:10.1016/S0955-2219(00)00053-4</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Перевислов С. Н. Поведение при спекании и свойства реакционно-спеченного нитрида кремния / Журнал прикладной химии. 2021. № 2. С. 153 – 162. DOI:10.31857/S0044461821020031</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Perevislov S. N. Sintering behavior and properties of reactive-sintered silicon nitride / J. Appl. Chem. 2021. Vol. 94. N 2. P. 153 – 162 [in Russian]. DOI:10.31857/S0044461821020031</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Перевислов С. Н., Несмелов Д. Д. Свойства композиционной керамики на основе SiC и Si3N4 с наноразмерной составляющей / Стекло и керамика. 2016. № 7. С. 15 – 18.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Perevislov S. N., Nesmelov D. D. Properties of composite ceramics based on SiC and Si3N4 with a nanoscale component / Steklo Keram. 2017. N 7. P. 15 – 18 [in Russian].</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Dinnebier R., Billinge S. Powder Diffraction. Theory and Practice. — RCS Publishing, 2008. — 582 p.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Dinnebier R., Billinge S. Powder Diffraction. Theory and Practice. — RCS Publishing, 2008. — 582 p.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Rietveld H. M. The Rietveld method: a Retrospertion / Zeitschrift für Kristallographie. Vol. 225. N 12. P. 545 – 547. DOI:10.1524/zkri.2010.1356</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Rietveld H. M. The Rietveld method: a Retrospertion / Zeitschrift für Kristallographie. Vol. 225. N 12. P. 545 – 547. DOI:10.1524/zkri.2010.1356</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Rietveld H. M. A profile refinement method for nuclear and magnetic structures / J. Appl. Crystallogr. 1969. Vol. 2. P. 65 – 71. DOI:10.1107/S0021889869006558</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Rietveld H. M. A profile refinement method for nuclear and magnetic structures / J. Appl. Crystallogr. 1969. Vol. 2. P. 65 – 71. DOI:10.1107/S0021889869006558</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Pecharsky V., Zavalij P. Fundamentals of powder diffraction and structural characterization of materials. — Springer Science, 2005. — 713 p. DOI:10.1007/978-0-387-09579-0</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Pecharsky V., Zavalij P. Fundamentals of powder diffraction and structural characterization of materials. — Springer Science, 2005. — 713 p. DOI:10.1007/978-0-387-09579-0</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Ritcher P. H. Estimating Errors in Least-Squares Fitting / TDA Progress Report. 1995. Vol. 42 – 122. P. 31.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Ritcher P. H. Estimating Errors in Least-Squares Fitting / TDA Progress Report. 1995. Vol. 42 – 122. P. 31.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Худсон Д. Статистика для физиков. — М.: Мир. 1970. — 297 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Hudson D. Statistics for physicists. — Moscow: Mir, 1970. — 297 p. [Russian translation].</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Кадилин В. В., Самосадный В. Т., Исаков С. В. и др. Сцинтилляторные методы спектрометрии гамма-излучения и электронов. — М.: МИФИ, 2003. — 240 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kadilin V. V., Samosadniy V. T., Isakov S. V., et al. Scintillator methods for gamma-ray and electron spectrometry. — Moscow: Izd. MIFI, 2003. — 240 p. [in Russian].</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit12"><label>12</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Андреев П. В., Сметанина К. Е., Гудзь Д. А., Табачкова Н. Ю., Шадрина Я. С. Рентгенодифракционные исследования фазового состава α- и псевдо-α-титановых сплавов / Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2020. № 9. С. 45 – 51. DOI:10.26896/1028-6861-2020-86-9-45-51</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Andreev P. V., Smetanina K. E., Gudz D. A., Tabachkova N. Yu., Shadrina Ya. S. X-Ray Powder Diffraction Analysis of the Phase Composition of α- and Near-α-Titanium Alloys / Zavod. Lab. Diagn. Mater. 2020. Vol. 86. N 9. P. 45 – 51 [in Russian]. DOI:10.26896/1028-6861-2020-86-9-45-51</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit13"><label>13</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Андреев П. В., Сметанина К. Е., Ланцев Е. А. Рентгеновское исследование фазового состава мелкозернистых керамических материалов на основе карбида вольфрама / Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2019. № 8. С. 37 – 42. DOI:10.26896/1028-6861-2019-85-8-37-42</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Andreev P. V., Smetanina K. E., Lantsev E. A. Study of the Phase Composition of Fine-Grained Tungsten Carbide Based Ceramic Materials by X-Ray Phase Analysis / Zavod. Lab. Diagn. Mater. 2019. Vol. 85. N 8. P. 37 – 42 [in Russian]. DOI:10.26896/1028-6861-2020-86-9-45-51</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit14"><label>14</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Pyzik A. J., Carroll D. F. Technology of Self-Reinforced Silicon Nitride / Ann. Rev. Mater. Sci. 1994. Vol. 24. N 1. P. 189 – 214.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Pyzik A. J., Carroll D. F. Technology of Self-Reinforced Silicon Nitride / Ann. Rev. Mater. Sci. 1994. Vol. 24. N 1. P. 189 – 214.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit15"><label>15</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Gusev A. I., Rempel A. A. Nanocrystalline Materials. — Cambridge: Cambridge International Science Publishing, 2004. — 351 p.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Gusev A. I., Rempel A. A. Nanocrystalline Materials. — Cambridge: Cambridge International Science Publishing, 2004. — 351 p.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit16"><label>16</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Kim H., Kwon J.-H., Rouviere J.-L., Zuo J. Determination of atomic vacancies in InAs/GaSb strained-layer superlattices by atomic strain / IUCrJ. 2018. Vol. 5. N 1. P. 67 – 72. DOI: 10.1107/S2052252517016219</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kim H., Kwon J.-H., Rouviere J.-L., Zuo J. Determination of atomic vacancies in InAs/GaSb strained-layer superlattices by atomic strain / IUCrJ. 2018. Vol. 5. N 1. P. 67 – 72. DOI:10.1107/S2052252517016219</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit17"><label>17</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Тюрин Ю. Н., Макаров А. А. Анализ данных на компьютере. — М.: МЦНМО, 2016. — 368 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Tyurin Yu. N., Makarov A. A. Computer data analysis. — Moscow: MTsNMO, 2016. — 368 p. [in Russian].</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit18"><label>18</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">McCusker L., Von Dreele R., Cox D., Louer D., Scard P. Rietveld Refinement guidelines / J. Appl. Cryst. 1999. Vol. 32. N 1. P. 36 – 50. DOI:10.1107/s0021889898009856</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">McCusker L., Von Dreele R., Cox D., Louer D., Scard P. Rietveld Refinement guidelines / J. Appl. Cryst. 1999. Vol. 32. N 1. P. 36 – 50. DOI:10.1107/s0021889898009856</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
