zldmЗаводская лаборатория. Диагностика материаловIndustrial laboratory. Diagnostics of materials1028-68612588-0187ООО «Издательство «ТЕСТ-ЗЛ»10.26896/1028-6861-2023-89-11-52-59zldm-2060Research ArticleИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ И СВОЙСТВSTRUCTURE AND PROPERTIES INVESTIGATIONИсследование электрофизических и магнитных свойств дираковского 3D полуметалла Cd3As2 с наногранулами MnAsStudy of the electrophysical and magnetic properties of a Dirac 3D semimetal Cd3As2 with nanogranules of MnAsСайпулаеваЛ. А.SaypulaevaL. A.

Луиза Абдурахмановна Сайпулаева

367015, г. Махачкала, ул. М. Ярагского, д. 94

Luiza A. Saypulaeva

94, ul. M. Yaragskogo, Makhachkala

l.sayplaeva@gmail.comМельниковаН. В.MelnikovaN. V.

Нина Владимировна Мельникова

620002, г. Екатеринбург, ул. Куйбышева, д. 48

Nina V. Melnikova

48, ul. Kuibysheva, Yekaterinburg, 620002

ГаджиалиевМ. М.GadzhialievM. M.

Магомед Магомедович Гаджиалиев

367015, г. Махачкала, ул. М. Ярагского, д. 94

Magomed M. Gadzhialiev

94, ul. M. Yaragskogo, Makhachkala, 367015

ТебеньковА. В.TebenkovA. V.

Александр Владимирович Тебеньков

620002, г. Екатеринбург, ул. Куйбышева, д. 48

Alexander V. Tebenkov

48, ul. Kuibysheva, Yekaterinburg, 620002

БабушкинА. Н.BabushkinA. N.

Алексей Николаевич Бабушкин

620002, г. Екатеринбург, ул. Куйбышева, д. 48

Aleksey N. Babushkin

48, ul. Kuibysheva, Yekaterinburg, 620002

 

ЗахвалинскийВ. С.ZakhvalinskiiV. S.

Василий Сергеевич Захвалинский

308015, г. Белгород, ул. Победы, д. 85

 

Vasiliy S. Zakhvalinskii

4, Leninsky prosp., Moscow, 119991

Аль-ОнаизанМ. Х. А.Al-OnaizanM. H.

Мохаммад Хассан Али Аль-Онаизан

Россия, 119991, Москва, Ленинский пр., д. 4

Mohammad H. Al-Onaizan

4, Leninsky prosp., Moscow, 119991

РильА. И.RilA. I.

Алексей Игоревич Риль

119991, Москва, Ленинский пр., д. 31

Aleksey I. Ril

31, Leninsky prosp., Moscow, 119991

Институт физики ДФИЦ РАНРоссияInstitute of Physics, DFRC RASRussian FederationУральский федеральный университет, Институт естественных наук и математикиРоссияUral Federal University, Institute of Natural Sciences and MathematicsRussian FederationБелгородский государственный национальный исследовательский университетРоссияNational University of Science and Technology «MISIS»Russian FederationНИТУ «МИСИС»РоссияNational University of Science and Technology «MISIS»Russian FederationИнститут общей и неорганической химии имени Н. С. Курнакова РАНРоссияInstitute of General and Inorganic Chemistry, RASRussian Federation20232111202389115259Copyright © Сайпулаева Л.А., Мельникова Н.В., Гаджиалиев М.М., Тебеньков А.В., Бабушкин А.Н., Захвалинский В.С., Аль-Онаизан М., Риль А.И., 20232023Сайпулаева Л.А., Мельникова Н.В., Гаджиалиев М.М., Тебеньков А.В., Бабушкин А.Н., Захвалинский В.С., Аль-Онаизан М., Риль А.И.Saypulaeva L.A., Melnikova N.V., Gadzhialiev M.M., Tebenkov A.V., Babushkin A.N., Zakhvalinskii V.S., Al-Onaizan M., Ril A.I.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.zldm.ru/jour/article/view/2060

В работе представлены результаты исследования электро- и магнетосопротивления композитного материала, состоящего из 70 % мол. дираковского полуметалла Cd3As2 и 30 % мол. ферромагнетика MnAs, при давлениях до 50 ГПа, а также намагниченности при гидростатических давлениях до 6 ГПа в режиме комнатных температур и в интервале 180 – 350 К при атмосферном давлении. В качестве среды, передающей давление, использовали смесь метанола с этанолом в соотношении 4:1. Элементный анализ композитов Cd3As2 + 30 % мол. MnAs показал, что большая часть объема составляет фаза Cd3As2, доля включений фазы MnAs — менее 5 %. Присутствует также значительная область несмешивания расплавов фаз Cd3As2 и MnAs. Установлено, что при увеличении давления во всей исследованной барической области наблюдается отрицательное магнетосопротивление материала (максимум — при 22 – 26 ГПа). При дальнейшем росте давления до максимального уровня на кривой появляются несколько экстремумов, при этом отрицательное магнетосопротивление не превышает 4 %. В режиме сброса давления от 50 ГПа отрицательное магнетосопротивление сменяется положительным (при 40 ГПа), и в районе 20 ГПа наблюдается максимальное значение положительного магнетосопротивления (~5,3 %). Выявлены признаки нестабильности моноклинной структуры Cd3As2 в результате ее частичного разложения при декомпрессии. Полученные результаты могут быть использованы в спинтронике при применении соответствующих композитных материалов.

We report on the main results of studying the electrical and magnetoresistance (MR) of a composite material consisting of 70 % mol. Dirac semi-metal Cd3As2 and 30 % mol. ferromagnet MnAs at pressures up to 50 GPa in a diamond anvil cell with a «rounded cone-flat» type anvils, as well as magnetization at hydrostatic pressures up to 6 GPa in a toroid-shaped high-pressure cell, both at room temperature and in the temperature range of 180 – 350 K at atmospheric pressure. A mixture of methanol and ethanol in a ratio of 4:1 was used as a pressure transmitting medium. Elemental analysis of Cd3As2 + 30 % mol MnAs composites showed that much of the volume is occupied by the Cd3As2 phase. The proportion of MnAs phase inclusions is less than 5 %. The feature of Cd3As2 + MnAs is the presence of a significant region of non-mixing of the Cd3As2 and MnAs phase melts. A negative MR was revealed with increasing pressure in the entire studied baric zone. The maximum negative MR is observed in the baric zone of 22 – 26 GPa. Further increase in the pressure up to the maximum level result in the appearance of several extrema on the ΔR/R0(P) curve, with negative MR not exceeding 4 %. Upon pressure release from 50 GPa, the baric dependence of ΔR/R0(P) is characterized by an inversion of the MR sign: at pressures around 40 GPa, a negative MR is replaced by a positive MR, and at around 20 GPa, the maximum value of positive MR of ~5.3 % is observed. Signs of the instability of the monoclinic structure of Cd3As2 resulted from its partial decomposition upon decompression were revealed. The results obtained can be used in spintronics when using appropriate composite materials.

дираковский полуметалл Cd3As2наногранулымагнетосопротивлениеферромагнетик MnAsDirac semimetal Cd3As2nanogranulesmagnetoresistanceMnAs ferromagnetРабота выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки РФ (госзадание «0203-2019-008, тема №46.4).ReferencesWang Z., Weng H., Wu Q., et al. Three-dimensional Dirac semimetal and quantum transport in Cd3As2 / Phys. Rev. 2013. Vol. 88. N 12. P. 125427. DOI: 10.1103/PhysRevB.88.125427Wang Z., Weng H., Wu Q., et al. Three-dimensional Dirac semimetal and quantum transport in Cd3As2 / Phys. Rev. 2013. Vol. 88. N 12. P. 125427. DOI: 10.1103/PhysRevB.88.125427Borisenko S., Gibson Q., Evtushinsky D., et al. Experimental realization of a three-dimensional Dirac semimetal / Phys. Rev. Lett. 2014. Vol. 113. N 2. P. 027603. DOI: 10.1103/PhysRevLett.113.027603Borisenko S., Gibson Q., Evtushinsky D., et al. Experimental realization of a three-dimensional Dirac semimetal / Phys. Rev. Lett. 2014. Vol. 113. N 2. P. 027603. DOI: 10.1103/PhysRevLett.113.027603Feng J., Pang Y., Wu D., et al. Large linear magnetoresistance in Dirac semimetal Cd3As2 with Fermi surfaces close to the Dirac points / Phys. Rev. 2015. Vol. 92. N 8. P. 081306. DOI: 10.1103/PhysRevB.92.081306Feng J., Pang Y., Wu D., et al. Large linear magnetoresistance in Dirac semimetal Cd3As2 with Fermi surfaces close to the Dirac points / Phys. Rev. 2015. Vol. 92. N 8. P. 081306. DOI: 10.1103/PhysRevB.92.081306He L., Jia Y., Zhang S., et al. Pressure-induced superconductivity in the three-dimensional topological Dirac semimetal Cd3As2 / Quantum Mater. 2016. Vol. 1. N 1. P. 1 – 5. DOI: 10.1038/npjquantmats.2016.14He L., Jia Y., Zhang S., et al. Pressure-induced superconductivity in the three-dimensional topological Dirac semimetal Cd3As2 / Quantum Mater. 2016. Vol. 1. N 1. P. 1 – 5. DOI: 10.1038/npjquantmats.2016.14Zhang S., Wu Q., Schoop L., et al. Breakdown of three-dimensional Dirac semimetal state in pressurized Cd3As2 / Phys. Rev. 2015. Vol. 91. N 16. P. 165133. DOI: 10.1103/PhysRevB.91.165133Zhang S., Wu Q., Schoop L., et al. Breakdown of three-dimensional Dirac semimetal state in pressurized Cd3As2 / Phys. Rev. 2015. Vol. 91. N 16. P. 165133. DOI: 10.1103/PhysRevB.91.165133Arushanov E. K. II3V2 compounds and alloys / Crystal Growth and Charact. 1992. Vol. 25. N 3. P. 131 – 201. DOI: 10.1016/0960-8974(92)90030-TArushanov E. K. II3V2 compounds and alloys / Crystal Growth and Charact. 1992. Vol. 25. N 3. P. 131 – 201. DOI: 10.1016/0960-8974(92)90030-TLu H., Zhang X., Bian Y., Jia S. Topological phase transition in single crystals of (Cd1 – xZnx)3As2 / Sci. Rep. 2017. Vol. 7. N 1. P. 3148. DOI: 10.1038/s41598-017-03559-2Lu H., Zhang X., Bian Y., Jia S. Topological phase transition in single crystals of (Cd1 – xZnx)3As2 / Sci. Rep. 2017. Vol. 7. N 1. P. 3148. DOI: 10.1038/s41598-017-03559-2Cisowski J. Semimagnetic semiconductors based on II – V compounds / Phys. Stat. Sol. 1997. Vol. 200. N 2. P. 311 – 350.Cisowski J. Semimagnetic semiconductors based on II – V compounds / Phys. Stat. Sol. 1997. Vol. 200. N 2. P. 311 – 350.Baibich M., Broto J., Fert A., et al. Giant magnetoresistance of (001) Fe/(001) Cr magnetic superlattices / Phys. Rev. Lett. 1988. Vol. 61. N 21. P. 2472. DOI: 10.1103/PhysRevLett.61.2472Baibich M., Broto J., Fert A., et al. Giant magnetoresistance of (001) Fe/(001) Cr magnetic superlattices / Phys. Rev. Lett. 1988. Vol. 61. N 21. P. 2472. DOI: 10.1103/PhysRevLett.61.2472Ril A. I., Marenkin S. F. Cadmium Arsenides: Structure, Synthesis of Bulk and Film Crystals, Magnetic and Electrical Properties (Review) / Russ. J. Inorg. Chem. 2021. Vol. 66. N 14. P. 2005. DOI: 10.1134/S0036023621140059Ril A. I., Marenkin S. F. Cadmium Arsenides: Structure, Synthesis of Bulk and Film Crystals, Magnetic and Electrical Properties (Review) / Russ. J. Inorg. Chem. 2021. Vol. 66. N 14. P. 2005. DOI: 10.1134/S0036023621140059Грибанов И., Завадский А., Сиваченко А. Низкотемпературные магнитные превращения в орторомбическом арсениде марганца / ФТН. 1979. Т. 5. ¹ 10. С. 1219.Gribanov I., Zavadsky A., Sivachenko A. Low-Temperature Magnetic Transformations in Orthorhombic Manganese Arsenide / FTN. 1979. Vol. 5. N 10. P. 1219 [in Russian].Spezzani C., Ferrari E., Allaria E., et al. Magnetization and microstructure dynamics in Fe/MnAs/GaAs (001): Fe magnetization reversal by a femtosecond laser pulse / Phys. Rev. Lett. 2014. Vol. 113. N 24. P. 247202. DOI: 10.1103/PhysRevLett.113.247202Spezzani C., Ferrari E., Allaria E., et al. Magnetization and microstructure dynamics in Fe/MnAs/GaAs (001): Fe magnetization reversal by a femtosecond laser pulse / Phys. Rev. Lett. 2014. Vol. 113. N 24. P. 247202. DOI: 10.1103/PhysRevLett.113.247202Hubmann J., Bauer B., Körner H., et al. Epitaxial growth of room-temperature ferromagnetic MnAs segments on GaAs nanowires via sequential crystallization / Nano Let. 2016. Vol. 16. N 2. P. 900. DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b03658Hubmann J., Bauer B., Körner H., et al. Epitaxial growth of room-temperature ferromagnetic MnAs segments on GaAs nanowires via sequential crystallization / Nano Let. 2016. Vol. 16. N 2. P. 900. DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b03658Новоторцев В. М., Маренкин С. Ф., Федорченко И. В., Кочура А. В. Физико-химические основы синтеза новых ферромагнетиков из халькопиритов AIIBIVCV2 / Журнал неорганической химии. 2010. Т. 55. № 11. С. 1868 – 1880. DOI: 10.1134/S0036023610110136Novotortsev V. M., Marenkin S. F., Fedorchenko I. V., Kochura A. V. Physicochemical foundations of synthesis of new ferromagnets from chalcopyrites AIIBIVCV2 / Zh. Neorg. Khim. 2010. Vol. 55. N 11. P. 1762 [in Russian]. DOI: 10.1134/S0036023610110136Сайпулаева Л. А., Гаджиалиев М. М., Алибеков А. Г. и др. Влияние гидростатического давления до 9 ГПа на гальваномагнитные свойства сплава системы Cd3As2-MnAs (20 % мол.) в поперечном магнитном поле / Неорганические материалы. 2019. Т. 55. № 9. C. 927 – 932. DOI: 10.21779/2542-0321-2019-34-3-30-36Saypulaeva L. A., Gadzhialiev M. M., Alibekov A. G., et al. Effect of hydrostatic pressures of up to 9 GPa on the galvanomagnetic properties of Cd3As2 – MnAs (20 % mol. MnAs) alloy in a transverse magnetic field / Inorg. Mater. 2019. Vol. 55. N 9. P. 873 – 878. DOI: 10.1134/S0020168519090152Алибеков А. Г., Моллаев А. Ю., Сайпуллаева Л. А. и др. Эффект холла, электро- и магнетосопротивление в композите Cd3As2 + MnAs (30 %) при высоком давлении / Журнал неорганической химии. 2017. Т. 62. № 1. С. 87 – 91. DOI: 10.7868/S0044457X17010032Alibekov A. G., Mollaev A. Y., Saipullaeva L. A., et al. Hall effect, electrical and magnetic resistance in Cd3As2 + MnAs (30 %) composite at high pressures / Zh. Neorg. Khim. 2017. Vol. 62. N 1. P. 90 – 93 [in Russian]. DOI: 10.7868/S0044457X17010032Алибеков А. Г., Моллаев А. Ю., Сайпуллаева Л. А. и др. Магнитотранспортные явления в гранулированных структурах Cd3As2 + MnAs при высоком давлении / Неорганические материалы. 2016. Т. 52. № 4. С. 402 – 405. DOI: 10.7868/S0002337X16040011Alibekov A. G., Mollaev A. Y., Saipullaeva L. A., et al. Magnetotransport effects in granular Cd3As2 + MnAs structures at high pressures / Inorg. Mater. 2016. Vol. 52. N 4. P. 357 – 360. DOI: 10.1134/S0020168516040014Сайпулаева Л. А., Гаджиалиев М. М., Алибеков А. Г. и др. Влияние высокого давления на электрические и гальваномагнитные свойства композита Cd3As2 + 20 % mol. MnAs / Физика твердого тела. 2020. Т. 62. Вып. 6. С. 834 – 838. DOI: 10.21883/FTT.2020.06.49333.32MSaypulaeva L. A., Gadzhialiev M. M., Alibekov A. G., et al. The effect of high pressure on the electrical and galvanomagnetic properties of the composite Cd3AS2 — 20 % mol. MnAs / Fiz. Tv. Tela. 2020. Vol. 62. N 6. P. 942 – 946 [in Russian]. DOI: 10.1134/S1063783420060256Мельникова Н. В., Тебеньков А. В., Суханова Г. В. и др. Термоэлектрические свойства ферромагнитного полупроводника на основе дираковского полуметалла Cd3As2 при высоком давлении / Физика твердого тела. 2018. Т. 60. Вып. 3. С. 490 – 494. DOI: 10.1134/S1063783418030174Melnikova N. V., Tebenkov A. V., Sukhanova G. V., et al. Thermoelectric properties of a ferromagnetic semiconductor based on the Dirac semimetal Cd3As2 at high pressure / Fiz. Tv. Tela. 2018. Vol. 60. N 3. P. 494 – 498 [in Russian]. DOI: 10.1134/S1063783418030174Риль А. И., Кочура А. В., Маренкин С. Ф. и др. Микроструктура кристаллов системы Cd3As2 – MnAs / Известия Юго-Западного государственного университета. Серия: техника и технологии. 2017. Т. 7. № 2. С. 120 – 134.Ril A. I., Kochura A. V., Marenkin S. F., et al. Microstructure of crystals of the system Cd3As2 – MnAs / Izv. Yugo-Zapad. Gos. Univ. 2017. Vol. 7. N 2. P. 120 – 134 [in Russian].Vereshchagin L. F., Yakovlev E. N., Vinogradov B. V., et al. Megabar pressure between anvils / High Temp. — High Press. 1974. Vol. 6. N 5. P. 499 – 504.Vereshchagin L. F., Yakovlev E. N., Vinogradov B. V., et al. Megabar pressure between anvils / High Temp. — High Press. 1974. Vol. 6. N 5. P. 499 – 504.Babushkin A. N., Pilipenko G. I., Gavrilov F. F. The electrical conductivity and thermal electromotive force of lithium hydride and lithium deuteride at 20 – 50 GPa / J. Phys. Condens. Matter. 1993. Vol. 5. N 46. P. 8659. DOI: 10.1088/0953-8984/5/46/005Babushkin A. N., Pilipenko G. I., Gavrilov F. F. The electrical conductivity and thermal electromotive force of lithium hydride and lithium deuteride at 20 – 50 GPa / J. Phys. Condens. Matter. 1993. Vol. 5. N 46. P. 8659. DOI: 10.1088/0953-8984/5/46/005Babushkin A. N. Electrical conductivity and thermal EMF of CsI at high pressures / High Press. Res. 1991. Vol. 6. N 6. P. 349 – 356. DOI: 10.1080/08957959208201042Babushkin A. N. Electrical conductivity and thermal EMF of CsI at high pressures / High Press. Res. 1991. Vol. 6. N 6. P. 349 – 356. DOI: 10.1080/08957959208201042Khvostantsev L. G., Slesarev V. N., Brazhkin V. V. Toroid type high-pressure device: history and prospects / High Press. Res. 2004. Vol. 24. N 3. P. 371 – 383. DOI: 10.1080/08957950412331298761Khvostantsev L. G., Slesarev V. N., Brazhkin V. V. Toroid type high-pressure device: history and prospects / High Press. Res. 2004. Vol. 24. N 3. P. 371 – 383. DOI: 10.1080/08957950412331298761Mollaev A. Y., Saypulaeva L. A., Arslanov R. K., et al. Electrophysical Properties of ZnAs2 and CdAs2 at Hydrostatic Pressure up to 9 GPa / High Press. Res. 2002. Vol. 22. N 1. P. 181 – 184. DOI: 10.1080/08957950211335Mollaev A. Y., Saypulaeva L. A., Arslanov R. K., et al. Electrophysical Properties of ZnAs2 and CdAs2 at Hydrostatic Pressure up to 9 GPa / High Press. Res. 2002. Vol. 22. N 1. P. 181 – 184. DOI: 10.1080/08957950211335Arslanov T., Kilanski L., López-Moreno S., et al. Changes in the magnetization hysteresis direction and structure-driven magnetoresistance of a chalcopyrite-based magnetic semiconductor / J. Phys. D. Appl. Phys. 2016. Vol. 49. N 12. P. 125007. DOI: 10.1088/0022-3727/49/12/125007Arslanov T., Kilanski L., López-Moreno S., et al. Changes in the magnetization hysteresis direction and structure-driven magnetoresistance of a chalcopyrite-based magnetic semiconductor / J. Phys. D. Appl. Phys. 2016. Vol. 49. N 12. P. 125007. DOI: 10.1088/0022-3727/49/12/125007Сайпулаева Л. А., Пирмагомедов З. Ш., Гаджиалиев М. М. и др. Спин-поляризованный электрический ток в нанокомпозите Cd48,6Mn11,4As40 / Физика твердого тела. 2021. Т. 63. Вып. 4. С. 427 – 433.Saypulaeva L., Pirmagomedov Z., Galzhialiev M., et al. Spin -polarized electric current in Cd48.6Mn11.4As40 nanocomposite / Physics of the Solid State. 2021. Vol. 63. N 4. P. 427 – 432. DOI: 10.1134/S1063783421040193Самохвалов А. А., Евстигнеева С. А., Морченко А. Т. и др. Определение малых величин магнитострикции в аморфных микропроводах с произвольным типом магнитной анизотропии / Завод. лаб. Диагност. мат. 2022. Т. 88. ¹ 1(I). С. 62 – 68.Samokhvalov A. A., Evstigneeva S. A., Morchenko A. T., et al. Determination of small magnitudes of magnetostriction in amorphous microwires with an arbitrary type of magnetic anisotropy / Industr. Lab. Mater. Diagn. 2022. Vol. 88. N 1(I). P. 62 – 68 [in Russian]. DOI: 10.26896/1028-6861-2022-88-1-I-62-68Menyuk N., Kafalas J., Dwight K., Goodenough J. Effects of pressure on the magnetic properties of MnAs / Phys. Rev. 1969. Vol. 177. N 2. P. 942. DOI: 10.1103/PhysRev.177.942Menyuk N., Kafalas J., Dwight K., Goodenough J. Effects of pressure on the magnetic properties of MnAs / Phys. Rev. 1969. Vol. 177. N 2. P. 942. DOI: 10.1103/PhysRev.177.942Andresen A., Fjellvåg H., Lebech B. Neutron diffraction investigation of MnAs under high pressure / Magn. Mater. 1984. Vol. 43. N 2. P. 158 – 160. DOI: 10.1016/0304-8853(84)90093-3Andresen A., Fjellvåg H., Lebech B. Neutron diffraction investigation of MnAs under high pressure / Magn. Mater. 1984. Vol. 43. N 2. P. 158 – 160. DOI: 10.1016/0304-8853(84)90093-3Mattoso N., Eddrief M., Varalda J., et al. Enhancement of critical temperature and phases coexistence mediated by strain in MnAs epilayers grown on GaAs (111) B / Phys. Rev. 2004. Vol. 70. N 11. P. 115324. DOI: 10.1103/PhysRevB.70.115324Mattoso N., Eddrief M., Varalda J., et al. Enhancement of critical temperature and phases coexistence mediated by strain in MnAs epilayers grown on GaAs (111) B / Phys. Rev. 2004. Vol. 70. N 11. P. 115324. DOI: 10.1103/PhysRevB.70.115324Kochura A. V., Marenkin S. F., Ril A. I., et al. Growth and Characterization of Cd3As2 + MnAs Composite / J. Nano-Electron. Phys. 2015. Vol. 7. N 4. P. 4079.Kochura A. V., Marenkin S. F., Ril A. I., et al. Growth and Characterization of Cd3As2 + MnAs Composite / J. Nano- Electron. Phys. 2015. Vol. 7. N 4. P. 4079.Liu Y., Tiwari R., Narayan A., et al. Cr doping induced negative transverse magnetoresistance in Cd3As2 thin films / Phys. Rev. 2018. Vol. 97. N 8. P. 085303. DOI: 10.1103/PhysRevB.97.085303Liu Y., Tiwari R., Narayan A., et al. Cr doping induced negative transverse magnetoresistance in Cd3As2 thin films / Phys. Rev. 2018. Vol. 97. N 8. P. 085303. DOI: 10.1103/PhysRevB.97.085303

The authors declare that there are no conflicts of interest present.