Описан механизм формирования кривых высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Определены угловые положения пиков, обусловленных отражением от монохроматора, образца и анализатора. Рассмотрено дифракционное рассеяние в обратном пространстве и сформулированы принципы его построения. Приведена схема двумерного распределения интенсивности вблизи узла обратной решетки кристалла. Описан механизм настройки трехосевой схемы дифракции. Объяснена разница между нулевым положением дифрактограммы, началом координат обратного пространства и узлом обратной решетки. Рассмотрена последовательность построения контуров равной интенсивности диффузного рассеяния, на основе которых получены данные по морфологии образцов. Определены размеры пор и их ориентация в телуриде свинца, созданные электролитическим травлением. Оценены дефекты в образцах до и после травления.
A mechanism of curve formation in high-resolution x-ray diffractometry is presented. Rule given for calculating the intensity of which is recorded by the detector. Angular positions of peaks attributed to reflection from monochromator, sample and analyzer are determined. Diffraction scattering in a reciprocal space and the principles of construction are considered. A scheme of the two-dimensional intensity distribution near a node of the reciprocal lattice of the crystal is presented along with a detailed description of the adjustment of three - axis diffraction scheme. An emphasis is made on the difference between the zero position of the diffraction pattern, the origin of the reciprocal space and node of the reciprocal lattice. Considered sequence of forming contours of equal intensity of diffuse scattering is used for determination of the morphology of the samples. The pore size and orientation in lead telluride formed upon electrolytic etching are determined. Defect formation in the samples is also evaluated both before and after etching.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.