Для изготовления высокоаспектных 3D-структур часто используют метод глубокой рентгеновской литографии. При этом качество формируемых этим методом структур зависит не только от условий переноса рентгеновским излучением топологии сформированного на рентгеношаблоне рисунка, но и от условий проявления резиста (применяемого растворителя, режимов проявления и др.). Для оптимизации согласования условий необходимо также определить технологическое окно, в рамках которого диапазон экспозиционных доз и контраст шаблона согласованы с конкретными условиями проявления используемого резиста. В работе представлены результаты определения технологического окна для высокоаспектной рентгенолитографии. Применяемый алгоритм основан на анализе поведения функции заданного соотношения скоростей растворения резиста под прозрачными и непрозрачными участками литографической маски (рентгеношаблона). В качестве резиста использовали два разных вида полиметилметакрилата (ПММА). Условия полимеризации ПММА существенно влияют на его конечные свойства, в том числе на литографические характеристики. Предложенный алгоритм предполагал задание соотношения максимальной и минимальной скоростей проявления облученного ПММА и знание математической формулы характеристической кривой, описывающей процесс проявления в определенном растворителе и при заданных условиях. Показано, что данный алгоритм обеспечивает экспериментальную повторяемость результатов и высокое качество формируемого рельефа. Полученные результаты могут быть использованы при изготовлении высокоаспектных структур из рентгенорезиста или рентгеночувствительного материала (материала, скорость растворения которого меняется в зависимости от полученной экспозиционной дозы). Кроме того, разработанный алгоритм может быть применен к другим видам литографических процессов, если известна формула, описывающая характеристическую кривую.