zldmЗаводская лаборатория. Диагностика материаловIndustrial laboratory. Diagnostics of materials1028-68612588-0187ООО «Издательство «ТЕСТ-ЗЛ»zldm-316Research ArticleИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ И СВОЙСТВ ФИЗИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И КОНТРОЛЯSTRUCTURE AND PROPERTIES INVESTIGATION PHYSICAL METHODS OF INVESTIGATION AND MONITORINGИзмерение диэлектрической проницаемости диоксида кремния при нагреве в высокотемпературном объемном волноводном резонатореMeasurements of Dielectric Permeability of Silicon Dioxide at a Superhigh Frequency upon Heating in a High Temperature Waveguide ResonatorКрыловВ. П.KrylovV. P.info@technologiya.ruГрачевВ. А.GrachevV. A.info@technologiya.ruРоговД. А.RogovD. A.info@technologiya.ruОНПП «Технология» им. А. Г. РомашинаRussian Federation20160110201682103943Copyright © Крылов В.П., Грачев В.А., Рогов Д.А., 20162016Крылов В.П., Грачев В.А., Рогов Д.А.Krylov V.P., Grachev V.A., Rogov D.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.zldm.ru/jour/article/view/316

Для повышения точности определения диэлектрической проницаемости материала в высокотемпературном объемном резонаторе с учетом влияния неоднородного распределения температуры использовали теплофизическое моделирование температурных полей. Представлены экспериментальные результаты измерения температурной зависимости диэлектрической проницаемости є(Т) твердых образцов диоксида кремния (до 1668 °С) на сверхвысоких частотах. Показано, что изменение є(Т) во всем температурном диапазоне составило не более ±2 % от начальной величины.

Thermal simulation of temperature fields is used to increase the accuracy of determining dielectric permeability of materials in high temperature waveguide resonator with allowance for the impact of inhomogeneous temperature distribution. Experimental results of measuring the temperature dependence of the dielectric constant e(T) of solid samples of silicon dioxide (up to 1668 °C) at microwave frequencies are presented. The value of e(T ) is shown to range within ±2% of the initial value throughout the whole temperature interval.

superhigh frequencydielectric propertiesmeasurement of the dielectric permeabilitywaveguide resonatorhigh-temperature heatingsilicon dioxideсверхвысокая частотадиэлектрические свойстваизмерение диэлектрической проницаемостиволноводный резонаторвысокотемпературный нагревдиоксид кремнияReferencesКрылов В. П. Расчет диэлектрической проницаемости на СВЧ при высокотемпературном нагреве в объемном резонаторе / Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2016. Т. 82. № 7. С. 36 - 39.Крылов В. П. Расчет диэлектрической проницаемости на СВЧ при высокотемпературном нагреве в объемном резонаторе / Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2016. Т. 82. № 7. С. 36 - 39.Крылов В. П., Скрюченков Л. М. Резонаторная ячейка для измерения температурных зависимостей диэлектрической проницаемости на сверхвысоких частотах до 1200 °С / Приборы и техника эксперимента. 1996. № 2. С. 81 - 82.Крылов В. П., Скрюченков Л. М. Резонаторная ячейка для измерения температурных зависимостей диэлектрической проницаемости на сверхвысоких частотах до 1200 °С / Приборы и техника эксперимента. 1996. № 2. С. 81 - 82.Полонский Ю. А., Корчагин К. Ф., Миловидова Т. В. Диэлектрические свойства кварцевого стекла в диапазоне сверхвысоких частот в интервале температур 20 - 1800 °С / Труды ВИО. - Л.: ВИО, 1973. С. 93- 106.Полонский Ю. А., Корчагин К. Ф., Миловидова Т. В. Диэлектрические свойства кварцевого стекла в диапазоне сверхвысоких частот в интервале температур 20 - 1800 °С / Труды ВИО. - Л.: ВИО, 1973. С. 93- 106.Von Amrhein Eva-Maria. Das dielektrische Verhalten binarer Oxydglaser im Mikroweellengebiet zwischen - 100 und 900 °С / Glastechnische Berichte. 1963. N 11. P. 425 - 444.Von Amrhein Eva-Maria. Das dielektrische Verhalten binarer Oxydglaser im Mikroweellengebiet zwischen - 100 und 900 °С / Glastechnische Berichte. 1963. N 11. P. 425 - 444.Литовченко А. В., Бреховских С. М., Демьянов В. В. Диэлектрические свойства оксидов кремния, алюминия и нитрида бора при нагревании до 2300 К / Неорганические материалы. 1983. Т. 19. № 9. С. 1489 - 1491.Литовченко А. В., Бреховских С. М., Демьянов В. В. Диэлектрические свойства оксидов кремния, алюминия и нитрида бора при нагревании до 2300 К / Неорганические материалы. 1983. Т. 19. № 9. С. 1489 - 1491.Батура В. Г., Гладышев Г. И., Дударенко В. С. и др. Комплект аппаратуры «Кварц» для измерения параметров диэлектриков / Электронная промышленность. 1973. № 8. С. 8 - 9.Батура В. Г., Гладышев Г. И., Дударенко В. С. и др. Комплект аппаратуры «Кварц» для измерения параметров диэлектриков / Электронная промышленность. 1973. № 8. С. 8 - 9.Крылов В. П. Измерение диэлектрических свойств диоксида кремния на частоте 10 ГГц при нагреве до 1200 °С в цилиндрическом волноводном резонаторе / Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2007. Т. 73. № 9. С. 47 - 49.Крылов В. П. Измерение диэлектрических свойств диоксида кремния на частоте 10 ГГц при нагреве до 1200 °С в цилиндрическом волноводном резонаторе / Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2007. Т. 73. № 9. С. 47 - 49.Ho W. W. High temperature millimeter wave dielectric characterization of radome materials / SPIE. 1982. Vol. 362. P. 190 - 195.Ho W. W. High temperature millimeter wave dielectric characterization of radome materials / SPIE. 1982. Vol. 362. P. 190 - 195.Литовченко А. В., Игнатенко Г. К. Некоторые аспекты метрологического обеспечения измерения диэлектрических свойств материалов на сверхвысокой частоте в интервале температур 20 - 1200 °С / Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2010. Т. 76. № 8. С. 66 - 69.Литовченко А. В., Игнатенко Г. К. Некоторые аспекты метрологического обеспечения измерения диэлектрических свойств материалов на сверхвысокой частоте в интервале температур 20 - 1200 °С / Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2010. Т. 76. № 8. С. 66 - 69.ГОСТ 15130-86. Стекло кварцевое оптическое. Общие технические условия. - М.: Изд-во стандартов, 1987.ГОСТ 15130-86. Стекло кварцевое оптическое. Общие технические условия. - М.: Изд-во стандартов, 1987.Крылов В. П., Маков А. И. Проблемы измерения диэлектрических свойств материалов в высокотемпературном резонаторе / Дефектоскопия. 1991. № 7. С. 87 - 89.Крылов В. П., Маков А. И. Проблемы измерения диэлектрических свойств материалов в высокотемпературном резонаторе / Дефектоскопия. 1991. № 7. С. 87 - 89.Li E., Nie Z., Guo G., and Zhahg Q. Broadband measurements of dielectric properyies of low-loss materials at high temperatures using circular cavity method / Progr. Electromagn. Res. 2009. P. 103 - 120.Li E., Nie Z., Guo G., and Zhahg Q. Broadband measurements of dielectric properyies of low-loss materials at high temperatures using circular cavity method / Progr. Electromagn. Res. 2009. P. 103 - 120.Varadan Vasundara V., Hollinger Richard D., Ghodgaonkar Deepak R., Vagadan Vijay K. Free-Space Broadband Measurements of High-temperature, implex Dielectric Properties at microwave Frequencies / IEEE Trans. Instr. Meas. 1991. Vol. 40. N 5.Varadan Vasundara V., Hollinger Richard D., Ghodgaonkar Deepak R., Vagadan Vijay K. Free-Space Broadband Measurements of High-temperature, implex Dielectric Properties at microwave Frequencies / IEEE Trans. Instr. Meas. 1991. Vol. 40. N 5.Сканави Г. И. Физика диэлектриков. Область слабых полей. - М.: Технико-техническая литература, 1949. - 500 с.Сканави Г. И. Физика диэлектриков. Область слабых полей. - М.: Технико-техническая литература, 1949. - 500 с.Прянишников В. П. Система кремнезема.-Л., 1971.-61 с.Прянишников В. П. Система кремнезема.-Л., 1971.-61 с.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.