В качестве компактных мощных источников излучения для накачки твердотельных лазеров широко используются линейки лазерных диодов на основе GaAs (ЛЛД), излучающие на длине волны 940 нм. Разработан метод исследования распределения интенсивности излучения между отдельными диодами ЛЛД, позволяющий проследить, каким образом каждый отдельный диод линейки влияет на суммарную интенсивность светового пучка ЛЛД. Существует специальное программное обеспечение CMOS-1300, которое по полученным с помощью цифровой камеры снимкам ближнего поля дает возможность строить количественные картины распределения интенсивности излучения ЛЛД - интегральные профили интенсивности. Интегральный профиль интенсивности излучения иллюстрирует относительное распределение интенсивности излучения по отдельным диодам. Данный способ излучения линеек лазерных диодов является информативным методом исследования коллективного поведения лазерных диодов в линейке.
GaAs based laser diode arrays (LDA) are widely used as a compact source of high-power radiation for pumping solid-state lasers emitting at a wavelength of 940 nm. A method of studying distribution of the radiation intensity between the individual diodes of LDA is developed which allows monitoring of the way in which each diode of the array affects the total intensity of the LDA light beam. A special software CMOS-1300 provides quantitative picturing of the LDA radiation intensity distribution (integrated intensity profiles) using digital photos of the near-field. The integrated emission intensity profile illustrates the relative distribution of the radiation intensity of the individual diodes in LDA. The developed procedure is an informative method of studying f the collective behavior of laser diodes in the array.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.