Для цитирования:

Щемеров И.В., Поляков А.Я., Лагов П.Б., Кобелева С.П., Кочкова А.И., Куланчиков Ю.О., Дорошкевич А.С., Кирилов В.Д. Влияние центров захвата, внесенных облучением протонами с энергией 1 МэВ, на время восстановления обратного тока в диодах Шоттки на основе Ga₂O₃. Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2023;89(7):25-33. https://doi.org/10.26896/1028-6861-2023-89-7-25-33

For citation:

Schemerov I.V., Polyakov A.Ya., Lagov P.B., Kobeleva S.P., Kochkova A.I., Kulanchikov Yu.O., Doroshkevich A.S., Kirilov V.D. The effect of trapping sites introduced by 1 MeV proton irradiation on the reverse current recovery time in Ga2O3-based Schottky diodes. Industrial laboratory. Diagnostics of materials. 2023;89(7):25-33. (In Russ.) https://doi.org/10.26896/1028-6861-2023-89-7-25-33