Preview

Заводская лаборатория. Диагностика материалов

Расширенный поиск

Определение параметров центров рекомбинации в силовых полупроводниковых приборах

Полный текст:

Аннотация

Описаны новые дифференциальные методы определения параметров центров рекомбинации, создающих глубокие уровни в запрещенной зоне полупроводника на примере примеси золота в кремнии. Апробация показала достаточно высокую точность предлагаемых методик обработки вольтамперных характеристик с систематической погрешностью не более 0,05 эВ для энергии активации глубоких уровней. Учитывая простоту метода и доступность оборудования, можно рекомендовать диагностики рекомбинационных центров в силовых полупроводниковых приборах большой мощности, когда применение емкостных методов затруднительно.

Об авторах

С. В. Булярский
Ульяновский государственный университет
Россия


А. В. Жуков
Ульяновский государственный университет
Россия


М. С. Ермаков
Ульяновский государственный университет
Россия


А. В. Лакалин
Ульяновский государственный университет
Россия


О. А. Сергеева
Ульяновский государственный университет
Россия


Список литературы

1. Lutz J., Schlangenotto H., Scheuermann U., Doncker R. Semiconductor Power Devices. - London - New York: Springer Heidelberg Dordrecht, 2011. - 536 p.

2. Булярский С. В., Грушко Н. С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. - М.: МГУ, 1997. - 462 с.

3. Грехов И. В., Сережкин Ю. Н. Лавинный пробой в p - n-переходах. - Л.: Энергия, 1980. - 156 с.

4. Булярский С. В., Сережкин Ю. Н., Ионычев В. К. Статистическая задержка пробоя микроплазм в фосфидогаллиевых p - n-переходах / Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33. № 11. С. 1345 - 1349.

5. Sah Chih-Thing, Noyce R. N., Shockley W. Carrier generation and recombination in p - n junctions and p - n junction caracteristics / Proc. IRE. 1957. Vol. 45. N 9. P. 1228 - 1243.

6. Булярский С. В., Грушко Н. С., Локалин А. В. Дифференциальные методы определения параметров глубоких уровней по рекомбинационным токам p - n-переходов / Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32. № 10. С. 1193 - 1196.

7. Булярский С. В., Грушко Н. С., Локалин А. В. Определение параметров глубоких уровней по дифференциальным коэффициентам вольтамперных характеристик / Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. Вып. 5. С. 22 - 27.

8. Булярский С. В., Грушко Н. С., Локалин А. В. Рекомбинационная спектроскопия глубоких центров в GaP светодиодах / ФТП. 1999. Т. 33. Вып. 6. С. 723 - 726.


Для цитирования:


Булярский С.В., Жуков А.В., Ермаков М.С., Лакалин А.В., Сергеева О.А. Определение параметров центров рекомбинации в силовых полупроводниковых приборах. Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2015;81(4):26-30.

For citation:


Bulyarskii S.V., Zhukov A.V., Ermakov M.S., Lakalin A.V., Sergeeva O.A. Determination of the Recombination Center Parameters in Power Semiconductor Devices. Industrial laboratory. Diagnostics of materials. 2015;81(4):26-30. (In Russ.)

Просмотров: 69


ISSN 1028-6861 (Print)
ISSN 2588-0187 (Online)