Determination of the Recombination Center Parameters in Power Semiconductor Devices
Abstract
New differential methods for determining the parameters of the recombination centers that form deep levels in the band gap of a semiconductor are described. An example of gold impurities in silicon is considered. Approbation showed rather high accuracy of the proposed methods of processing current-voltage characteristics with a systematic error of no more than 0.05 eV for the activation energy of deep levels. Easy to use procedure and available equipment make the method advantageous for diagnostics of the recombination centers in power semiconductor devices when the use of capacitive methods is difficult.
About the Authors
S. V. Bulyarskii
Ульяновский государственный университет
Russian Federation
Russian Federation
A. V. Zhukov
Ульяновский государственный университет
Russian Federation
Russian Federation
M. S. Ermakov
Ульяновский государственный университет
Russian Federation
Russian Federation
A. V. Lakalin
Ульяновский государственный университет
Russian Federation
Russian Federation
O. A. Sergeeva
Ульяновский государственный университет
Russian Federation
Russian Federation
References
1. Lutz J., Schlangenotto H., Scheuermann U., Doncker R. Semiconductor Power Devices. - London - New York: Springer Heidelberg Dordrecht, 2011. - 536 p.
2. Булярский С. В., Грушко Н. С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. - М.: МГУ, 1997. - 462 с.
3. Грехов И. В., Сережкин Ю. Н. Лавинный пробой в p - n-переходах. - Л.: Энергия, 1980. - 156 с.
4. Булярский С. В., Сережкин Ю. Н., Ионычев В. К. Статистическая задержка пробоя микроплазм в фосфидогаллиевых p - n-переходах / Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33. № 11. С. 1345 - 1349.
5. Sah Chih-Thing, Noyce R. N., Shockley W. Carrier generation and recombination in p - n junctions and p - n junction caracteristics / Proc. IRE. 1957. Vol. 45. N 9. P. 1228 - 1243.
6. Булярский С. В., Грушко Н. С., Локалин А. В. Дифференциальные методы определения параметров глубоких уровней по рекомбинационным токам p - n-переходов / Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32. № 10. С. 1193 - 1196.
7. Булярский С. В., Грушко Н. С., Локалин А. В. Определение параметров глубоких уровней по дифференциальным коэффициентам вольтамперных характеристик / Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. Вып. 5. С. 22 - 27.
8. Булярский С. В., Грушко Н. С., Локалин А. В. Рекомбинационная спектроскопия глубоких центров в GaP светодиодах / ФТП. 1999. Т. 33. Вып. 6. С. 723 - 726.
Review
For citations:
Bulyarskii S.V., Zhukov A.V., Ermakov M.S., Lakalin A.V., Sergeeva O.A. Determination of the Recombination Center Parameters in Power Semiconductor Devices. Industrial laboratory. Diagnostics of materials. 2015;81(4):26-30. (In Russ.)
Views:
310
Email this article 