Методы измерения параметров излучения импульсных линеек лазерных диодов на основе GaAs

В качестве компактных мощных источников излучения для накачки твердотельных лазеров широко используются линейки лазерных диодов на основе GaAs (ЛЛД), излучающие на длине волны 940 нм. Разработан метод исследования распределения интенсивности излучения между отдельными диодами ЛЛД, позволяющий проследить, каким образом каждый отдельный диод линейки влияет на суммарную интенсивность светового пучка ЛЛД. Существует специальное программное обеспечение CMOS-1300, которое по полученным с помощью цифровой камеры снимкам ближнего поля дает возможность строить количественные картины распределения интенсивности излучения ЛЛД - интегральные профили интенсивности. Интегральный профиль интенсивности излучения иллюстрирует относительное распределение интенсивности излучения по отдельным диодам. Данный способ излучения линеек лазерных диодов является информативным методом исследования коллективного поведения лазерных диодов в линейке.

линейка лазерных диодов, полупроводниковый лазер, лазерное излучение, лазерный диод, интенсивность излучения, интегральный профиль интенсивности, исследование интенсивности, ближнее поле, laser diode arrays, semiconductor laser, laser radiation, laser diode, radiation intensity, integrated profile of the intensity, study of the intensity, near-field

1. Кравцов Н. В. Основные тенденции развития твердотельных лазеров с полупроводниковой накачкой / Квантовая электроника. 2001. № 8. С. 661 - 677.

2. Базаров В. К. Полупроводниковые лазеры и их применение. - М.: Энергия, 1969 - 56 с.

3. Зверев Г. М., Гуляев Ю. Д. Лазеры на кристаллах и их применение. - М.: Радио и связь, 1994. - 312 с.

4. ГОСТ Р 51106-97. Лазеры инжекционные, излучатели, решетки лазерных диодов, диоды лазерные. Методы измерения параметров. - М.: Изд-во стандартов. - 12 с.

5. Пригожин И., Стенгерс И. Порядок из хаоса: Новый диалог человека с природой: Пер. с англ. / Под ред. В. И. Аршинова, Ю. Л. Климонтовича, Ю. В. Сачкова. - М.: Прогресс, 1986. - 240 с.

6. Эбелинг В. Образование структур при необратимых процессах. - М.: Мир, 1979. - 276 с.

7. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. - М.: Мир, 1973. - 458 с.

8. Елисеев П. Г. Введение в физику инжекционных лазеров. - М.: Наука, 1983. - 295 с.

9. Грибковский В. П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках. - Минск: Наука и техника, 1975. - 231 с.

10. Джонсон Н., Лион Ф. Статистика и планирование эксперимента в технике и науке. Методы обработки данных / Под ред. Э. К. Лецкого. - М.: Мир, 1980. - 620 с.

11. Мельниченко А. С. Статистический анализ в металлургии и материаловедении: Учеб. - М.: Изд. дом МИСиС, 2009. - 268 с.

12. Гринченко В. Т., Мацыпура В. Т., Снарский А. А. Введение в нелинейную динамику: Хаос и фракталы. - М.: Издательство ЛКИ, 2010. - 280 с.

13. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 2. - М.: Мир, 1984. - 456 с.

14. Коган Л. М. Полупроводниковые светоизлучающие диоды. - М.: Энергоатомиздат, 1983. - 208 с.

15. Звелто О. Принципы лазеров. - М.: Мир, 1990. - 720 с.

16. Грундман М. Основы физики полупроводников. Нанофизика и технические приложения. Изд. 2-е / Пер. с англ. под ред. В. А. Гергеля. - М.: Физматлит, 2012. - 777 с.