Methods of Measuring the Parameters of Pulsed Laser Diode Arrays Based on GaAs

GaAs based laser diode arrays (LDA) are widely used as a compact source of high-power radiation for pumping solid-state lasers emitting at a wavelength of 940 nm. A method of studying distribution of the radiation intensity between the individual diodes of LDA is developed which allows monitoring of the way in which each diode of the array affects the total intensity of the LDA light beam. A special software CMOS-1300 provides quantitative picturing of the LDA radiation intensity distribution (integrated intensity profiles) using digital photos of the near-field. The integrated emission intensity profile illustrates the relative distribution of the radiation intensity of the individual diodes in LDA. The developed procedure is an informative method of studying f the collective behavior of laser diodes in the array.

линейка лазерных диодов, полупроводниковый лазер, лазерное излучение, лазерный диод, интенсивность излучения, интегральный профиль интенсивности, исследование интенсивности, ближнее поле, laser diode arrays, semiconductor laser, laser radiation, laser diode, radiation intensity, integrated profile of the intensity, study of the intensity, near-field

1. Кравцов Н. В. Основные тенденции развития твердотельных лазеров с полупроводниковой накачкой / Квантовая электроника. 2001. № 8. С. 661 - 677.

2. Базаров В. К. Полупроводниковые лазеры и их применение. - М.: Энергия, 1969 - 56 с.

3. Зверев Г. М., Гуляев Ю. Д. Лазеры на кристаллах и их применение. - М.: Радио и связь, 1994. - 312 с.

4. ГОСТ Р 51106-97. Лазеры инжекционные, излучатели, решетки лазерных диодов, диоды лазерные. Методы измерения параметров. - М.: Изд-во стандартов. - 12 с.

5. Пригожин И., Стенгерс И. Порядок из хаоса: Новый диалог человека с природой: Пер. с англ. / Под ред. В. И. Аршинова, Ю. Л. Климонтовича, Ю. В. Сачкова. - М.: Прогресс, 1986. - 240 с.

6. Эбелинг В. Образование структур при необратимых процессах. - М.: Мир, 1979. - 276 с.

7. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. - М.: Мир, 1973. - 458 с.

8. Елисеев П. Г. Введение в физику инжекционных лазеров. - М.: Наука, 1983. - 295 с.

9. Грибковский В. П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках. - Минск: Наука и техника, 1975. - 231 с.

10. Джонсон Н., Лион Ф. Статистика и планирование эксперимента в технике и науке. Методы обработки данных / Под ред. Э. К. Лецкого. - М.: Мир, 1980. - 620 с.

11. Мельниченко А. С. Статистический анализ в металлургии и материаловедении: Учеб. - М.: Изд. дом МИСиС, 2009. - 268 с.

12. Гринченко В. Т., Мацыпура В. Т., Снарский А. А. Введение в нелинейную динамику: Хаос и фракталы. - М.: Издательство ЛКИ, 2010. - 280 с.

13. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 2. - М.: Мир, 1984. - 456 с.

14. Коган Л. М. Полупроводниковые светоизлучающие диоды. - М.: Энергоатомиздат, 1983. - 208 с.

15. Звелто О. Принципы лазеров. - М.: Мир, 1990. - 720 с.

16. Грундман М. Основы физики полупроводников. Нанофизика и технические приложения. Изд. 2-е / Пер. с англ. под ред. В. А. Гергеля. - М.: Физматлит, 2012. - 777 с.