Установка для измерения гальваномагнитных параметров полупроводниковых материалов путем поворота образца в поле постоянного магнита
Аннотация
Разработана и изготовлена установка, позволяющая измерять гальваномагнитные параметры образцов полупроводниковых материалов путем вращения образца в поле постоянного магнита. Измерения проводятся при комнатной температуре либо при температуре, близкой к точке кипения жидкого азота (образец находится в парах жидкого азота). Поворот образца осуществляется с помощью блока управления и индикации, изготовленного на базе микроконтроллера, который управляет шаговым двигателем. Направление тока через образец изменяется с помощью коммутатора. Измеряемый сигнал через интерфейс поступает на персональный компьютер, где фиксируется и обрабатывается с помощью специально разработанной программы. Установка опробована на образце германия p-типа электропроводности. Измерения проводились при температурах 300 и 82 ± 3 К. Показано, что при этих температурах зависимости измеряемого сигнала от угла поворота образца близки к синусоидальным. Они проходят через нуль при 0, 180 и 360°, что подтверждает отсутствие гистерезиса. Возможности установки могут быть существенно расширены за счет увеличения индукции магнитного поля до 1,4 Тл путем замены наконечников сердечника. Процесс управления поворотом образца, записи значений измеряемого сигнала и обработки результатов измерений можно автоматизировать посредством разработки соответствующего программного обеспечения.
Об авторах
В. А. Голубятников
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», Москва, Россия
Россия
Россия
Ф. И. Григорьев
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», Москва, Россия
Россия
Россия
А. П. Лысенко
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», Москва, Россия
Россия
Россия
Н. И. Строганкова
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», Москва, Россия
Россия
Россия
А. Г. Белов
Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «ГИРЕДМЕТ», Москва, Россия
Россия
Россия
В. Е. Каневский
Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «ГИРЕДМЕТ», Москва, Россия
Россия
Россия
Список литературы
1. Белов А. Г., Белогорохов А. И., Лакеенков В. М. Об особенностях электрофизических свойств гетероструктур CdxHg1-xTe/CdZnTe / Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35. №8. С. 917-919.
2. Белов А. Г., Белова И. М., Каневский В. Е., Свиридов М. С., Шленский А. А. О влиянии медленных электронов на полевые зависимости коэффициента Холла для твердых растворов CdxHg1-xTe при T = 77 К / Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41. № 10. С. 1178 - 1181.
3. Van der Pauw L. J. A Method of Measuring Specific Resistivity and Hall Effect of Discs of Arbitrary Shape / Philips Research Reports. 1958. Vol. 13. N 1. P. 1 - 9.
4. Van der Pauw L. J. A Method of Measuring the Resistivity and Hall Coefficient on Lamellae of Arbitrary Shape / Philips Technical Review. 1958. Vol. 20. N 8. P. 220 - 224.
Рецензия
Для цитирования:
Голубятников В.А., Григорьев Ф.И., Лысенко А.П., Строганкова Н.И., Белов А.Г., Каневский В.Е. Установка для измерения гальваномагнитных параметров полупроводниковых материалов путем поворота образца в поле постоянного магнита. Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2015;81(10):44-46.
For citation:
Golubyatnikov V.A., Grigor’Ev F.I., Lysenko A.P., Strogankova N.I., Belov A.G., Kanevskii V.E. Setup for Measuring the Galvanomagnetic Properties of Semiconducting Materials by Sample Rotation in the Field of Permanent Magnet. Industrial laboratory. Diagnostics of materials. 2015;81(10):44-46. (In Russ.)
Просмотров:
241
Послать статью по эл. почте 