Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия пористых слоев PbTe на кремниевой подложке
Аннотация
Описан механизм формирования кривых высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Определены угловые положения пиков, обусловленных отражением от монохроматора, образца и анализатора. Рассмотрено дифракционное рассеяние в обратном пространстве и сформулированы принципы его построения. Приведена схема двумерного распределения интенсивности вблизи узла обратной решетки кристалла. Описан механизм настройки трехосевой схемы дифракции. Объяснена разница между нулевым положением дифрактограммы, началом координат обратного пространства и узлом обратной решетки. Рассмотрена последовательность построения контуров равной интенсивности диффузного рассеяния, на основе которых получены данные по морфологии образцов. Определены размеры пор и их ориентация в телуриде свинца, созданные электролитическим травлением. Оценены дефекты в образцах до и после травления.
Об авторах
А. И. Мамонтов
Сыктывкарский государственный университет имени Питирима Сорокина
Россия
Россия
А. П. Петраков
Сыктывкарский государственный университет имени Питирима Сорокина
Россия
Россия
С. П. Зимин
Ярославский государственный университет имени П. Г. Демидова
Россия
Россия
Список литературы
1. Ломов А. А., Шитов П. В., Бушуев В. А. Исследование совершенства структуры монокристаллов CsdS04, CsnS04 и Csn2P04 высокоразрешающими рентгенодифракционными методами / Кристаллография. 1992. Т. 37. Вып. 2. С. 444 - 450.
2. Caciuffo R., Melone S., Rustichelli F. Monochromators for X-ray Synchrotron radiation / Physics Reports (Review Section of Physics Letters). 1987. Vol. 152. P. 1-71.
3. Бушуев В. А., Петраков А. П. Влияние мозаичности на спектры трехкристальной рентгеновской дифрактометрии / Ультрадисперсное состояние минерального вещества. - Сыктывкар: Коми НЦ УрО РАН, 2000. С. 147 - 159.
4. Джеймс Р. Оптические принципы дифракции рентгеновских лучей. - М.: ИЛ, 1950. - 572 с.
5. Guinier A. X-ray diffraction in crystals, imperfect crystals, and amorphous bodies. - San Francisco and London: W. H. Freeman and Company, 1963. - 378 p.
6. Charniy L. A., Morozov V. M., Bublik V. T., Scherbachev K. D., Stepantsova L. V., Kaganer V. M. Study of microdefects and their distribution in dislocation-free Sidoped HB-GaAs by X-ray diffuse scattering on triple-crystal diffractometr / J. Cryst. Growth. 1992. Vol. 116. P. 362 375.
7. Боуэн Д. К., Таннер Б. К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография. - СПб.: Наука, 2002. - 274 с.
8. Гусев А. И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. - М.: Наука-Физматлит, 2007. - 416 с.
9. Zimin S. P., Bogoyavlenskaya E. A., Buchin E. Ya., Petrakov A. P., Zogg H., Zimin D. Formation of porous nanostructured lead telluride films by anodic electrochemical etching method / Semiconductor science and technology. 2009. Vol. 24. N 10. P. 1 - 6.
10. Кривоглаз М. А. Дифракция рентгеновских лучей и нейтронов в неидеальных кристаллах. -Киев: Наукова думка, 1983. -407 с.
11. Петраков А. П. Рентгенодифрактометрические исследования структуры приповерхностной области монокристаллов / Вестник института геологии. Коми НЦ УрО РАН. 2007. № 4. С. 10 - 12.
12. Бушуев В. А., Петраков А. П. Исследование влияния лазерного отжига на структуру приповерхностных слоев ионно-имплантированного кремния методом рентгеновской дифрактометрии / ФТТ. 1993. Т. 35. № 2. С. 355 - 364.
13. Nohavica D., Gladkov P., Zelinka J., et al. Micro and Nanopores Formation in A3B5 Semiconductors. Conf. NaNo 04. 2004. Brno. Czech Republic. Proceedings. P. 176.
14. Ломов А. А., Прохоров Д. Ю., Имамов Р. М., Нохавица Д., Гладков П. Структурная характеризация пористых слоев InP(001) методом трехкристальной рентгеновской дифрактометрии / Кристаллография. 2006. Т. 51. № 5. С. 49 - 55.
Рецензия
Для цитирования:
Мамонтов А.И., Петраков А.П., Зимин С.П. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия пористых слоев PbTe на кремниевой подложке. Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2016;82(4):31-35.
For citation:
Mamontov A.I., Petrakov A.P., Zimin S.P. High Resolution X-Ray Diffractometry of Porous PbTe Layers on Silicon Substrates. Industrial laboratory. Diagnostics of materials. 2016;82(4):31-35. (In Russ.)
Просмотров: 205
Послать статью по эл. почте 