Методические возможности двухкристальных рентгеновских дифрактометров

Описаны методические возможности двухкристальных рентгеновских дифрактометров производства ООО ИТЦ «Радикон» для исследования и контроля структуры монокристаллов и тонкопленочных систем различными дифракционными методами, в том числе методами высокого разрешения. Двухкристальный автоматический рентгеновский дифрактометр ДСО-1Т с большим расстоянием «образец - детектор» и узкой щелью перед детектором обеспечивает картирование в обратном пространстве гетероэпитаксиальных структур с высоким качеством, что продемонстрировано на примере двухслойной гетеросистемы GaAs/Si. Двухкристальная приставка ПДП к дифрактометру ДРОН-3 имеет пять моторизованных осей, включая XZ столик с диапазоном перемещений 200 × 200 мм². Эта приставка обеспечивает картирование больших пластин по кривым дифракционного отражения, в частности структур кремния на сапфире. Вертикальный трехосный двухкристальный рентгеновский дифрактометр ДСО-2П, предназначенный для исследования и контроля монокристаллов диаметром до 101 мм и высотой до 100 мм, оснащен моторизованной приставкой линейного перемещения детектора на 100 мм и моторизованным поворотным сменщиком щелей перед детектором. Гибкость программного обеспечения рентгеновских дифрактометров производства ООО ИТЦ «Радикон» обеспечивается встроенным редактором пользовательских макросов.

двухкристальный дифрактометр, высокое разрешение, картирование узлов в обратном пространстве, параметр решетки, кривая дифракционного отражения, double crystal diffractometer, high resolution, reciprocal space mapping, lattice constant, diffraction reflection curve

1. Korneev V. N., Ariskin N. I., Aulchenko V. M., et al. The Station DICSI at KCSP «Siberia-2» for Time-Resolved Investigation of Dynamic Structure / Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2004. № 10. С. 24 - 27.

2. Корнеев В. Н., Шлектарев В. А., Забелин А. В. и др. Новая версия малоугловой рентгеновской аппаратуры на станции ДИКСИ в КЦСИ и НТ / Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2008. № 12. С. 61 - 68.

3. Артемьев А. Н., Беляев А. Д., Артемьев Н. А. и др. Дифракция Дебая - Шеррера в геометрии «обратного» рассеяния на Курчатовском источнике СИ / Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2013. № 10. С. 3 - 8.

4. Щербачев К. Д. D8 Discover - инструмент исследования перспективных материалов для микро- и наноэлектроники / Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2008. № 5. С. 40 - 44.

5. http://www.radicon.spb.ru, дата обращения 23.12.2013.

6. Василенко А. П., Лошкарев И. Д., Разумовский А. Ю. и др. Автоматический двухкристальный рентгеновский дифрактометр ДСО-1Т / Материалы второй международной молодежной научной школы-семинара «Современные методы анализа дифракционных данных». Великий Новгород. 2008. С. 76 - 78.

7. Лошкарев И. Д., Василенко А. П., Труханов Е. М. Разработка программного обеспечения автоматизированной системы управления рентгеновским трехосевым дифрактометром / Материалы второй международной молодежной научной школы-семинара «Современные методы анализа дифракционных данных». Великий Новгород. 2008. С. 113 - 115.

8. Разумовский А. Ю., Чернов М. А., Василенко А. П. и др. Аппаратное обеспечение рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения / Материалы шестого международного научного семинара «Современные методы анализа дифракционных данных и актуальные проблемы рентгеновской оптики». Великий Новгород. 2013. С. 114 - 116.

9. Ломов А. А., Осипов А. Ф., Сироченко В. П. Методика исследования приповерхностных слоев монокристаллов кремния методом трехкристальной рентгеновской дифрактометрии / Заводская лаборатория. 1993. Т. 69. № 2. С. 41 - 43.

10. Щербачев К. Д., Курипятник А. В., Бублик В. Т. Применение трехкристальной рентгеновской дифрактометрии для исследования ионоимплантированных слоев / Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2003. Т. 69. № 6. С. 23 - 31.

11. Емельянов Е. А., Коханенко А. П., Пчеляков О. П. и др. Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001) / Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56. № 1. С. 49 - 54.

12. Лошкарев И. Д., Василенко А. П., Труханов Е. М. и др. Зависимость пластической релаксации пленок GaAs от способа зарождения первого монослоя As на Si(001) / Известия РАН, серия физическая. 2013. Т. 77. № 3. С. 264 - 267.

13. Музыков П. Г., Разумовский А. Ю., Сударшан Т. С., Чернов М. А. Влияние некомпланарности векторов дифракции на характеристики двухкристальных кривых качания / Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2003. Т. 69. № 12. С. 24 - 28.

14. Isomae S., Kishino S., Takagi K., et al. Lattice-parameter measurement technique for single crystals using two lattice planes, and its application to Gd3Ga5O12 single crystals / J. Appl. Cryst. 1976. Vol. 9. P. 342 - 346.

15. Лидер В. В. Использование компланарных рентгеновских рефлексов для прецизионного определения параметров кристаллической решетки / Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2008. Т. 74. № 9. С. 31 - 35.

16. Лидер В. В. Использование нескольких компланарных рефлексов для прецизионного определения параметра кристаллической решетки / Кристаллография. 1994. Т. 39. № 3. С. 406 - 409.

17. Лисойван В. И. Измерения параметров элементарной ячейки на однокристальном спектрометре. - Новосибирск: Наука, СО, 1982. - 126 с.

18. Николаенко В. А., Карпухин В. И. Измерение температуры с помощью облученных материалов. - М.: Энергоатомиздат, 1986. - 120 с.