Для цитирования:

Бормашов В.С., Тарелкин С.А., Буга С.Г., Волков А.П., Голованов А.В., Кузнецов М.С., Корнилов Н.В., Тетерук Д.В., Терентьев С.А., Бланк В.Д. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ВЫСОКОКАЧЕСТВЕННЫХ СИНТЕТИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА, ЛЕГИРОВАННЫХ БОРОМ, И ДИОДОВ ШОТТКИ НА ИХ ОСНОВЕ. Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2017;83(1 ч.I):36-42.

For citation:

Bormashov V.S., Tarelkin S.A., Buga S.G., Volkov A.P., Golovanov A.V., Kuznetsov M.S., Kornilov N.V., Teteruk D.V., Terentiev S.A., Blank V.D. Electrical Properties of the High-Quality Synthetic Boron-Doped Single Crystal Diamonds and Schottky Barrier Diodes on Their Base. Industrial laboratory. Diagnostics of materials. 2017;83(1 ч.I):36-42. (In Russ.)